Одночастотный Nd:YAG лазер с диодной накачкой и модулированной добротностью

p2L

p1

Модуляция добротности производится с использованием насыщенного поглощения  в  кристалле  Cr4+:YAG.

pr4

Выходные характеристики лазеров

 ILP 1064Q – 500 – 4A ( S, C )

Средняя мощность на 1064 нм > 500 мВт
Длительность импульса ~ 20 нс
Частота следования  импульсов > 10 кГц
Пиковая мощность импульса >   5 кВт
Средняя мощность импульса > 2.5 кВт
Энергия импульса > 50 мкДж
Пульсация амплитуды импульса ~  0.5 %
Свойства выходного излучения
Режим TEM00q
Поляризация на 1064 нм Линейная
Ширина линии Фурье огранич.
Область свободной дисперсии лазера ~ 2.4 ГГц
Управление частотой излучения с помощью пьезокерамических элементов
Чувствительность ПЭ-1 ~ 1 МГц/В
Полоса частот ПЭ-1 0…30 кГц
Чувствительность ПЭ-2 ~ 10 МГц/В
Полоса частот ПЭ-2 0…1 кГц
Рабочее напряжение – 100…+250 В

Контактная информация

Россия, 630090, Новосибирск,просп. Акад. Лаврентьева 13/3,

Институт лазерной физики СО РАН,

академик РАН Багаев Сергей Николаевич

Тел.: (383) 333-24-89Факс: (383) 333-20-67

E-mail: bagayev@laser.nsc.ru